产品系列 | 描述 | 特 点 | 行业状况 |
IGBT | 绝缘栅双极型晶体管 | 开关速度高，开关损耗小，耐脉冲冲击，通态压降低，输入阻抗高，驱动功率小等 | 参与高端市场竞争 |
GaN Power Device | 第三代化合物功率半导体 | 宽禁带、高击穿电压、高开关频率、高工作温度、高功率密度等 | 填补国内空白 |
FRD | 快恢复/超快恢复二极管产品系列 | 低漏电、高抗浪涌能力、高可靠性、软恢复等 | 替代进口 |
SBD | 沟槽型肖特基 | 低功耗，反向恢复时间短，正向压降低 。 | 替代进口 |
MOSFET | 金属氧化物半导体场效应晶体管 | 开关速度快，输入阻抗低，驱动功率小，热稳定性号，工作频率高等 | 替代进口 |
二维码