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SGTmos 价格：元

低损耗：屏蔽电极大幅降低米勒电容与栅漏电荷，开关损耗比传统沟槽型低40%-60%；结合电荷平衡技术，导通电阻可降低50%以上。

抗干扰强：栅漏电容Ciss比值降低，抗dv/dt能力提升，高动态电压下不易误开启。

高可靠性：电场分布更均匀，热载流子效应减弱，耐浪涌与散热能力更强。

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